| عنوان فارسی مقاله: |
ابزار CAD پیشرفته برای مدل سازی نویز از ترانزیستورهای اثر میدان میکروموج/ RF با عرض های دروازه بزرگ |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Advanced CAD tool for noise modeling of RF/microwave field effect transistors with large gate widths |
چکیده
در محدوده فرکانس موج میلی متری، تاثیرات الکترومغناطیسی (EM) رفتار دستگاه را بطور قابل توجهی تحت تاثیر می گذارند. بعنوان هسته سیستم های ارتباطاتی مدرن، دستگاه های فعالی مانند ترانزیستورهای اثر میدان (FETها) به مدل های به روز نیاز دارند تا بصورت دقیقی این تاثیرات را ادغام کنند، بخصوص در شرایط عملکرد نویز، چرا که بیشتر سیستم های ارتباطاتی در محیط های نویزدار فعالیت می کنند. علاوه بر این، برای تقویت نویز پائین در طول یک باند فرکانسی وسیع، مقاومت Rn باید بطور قابل ملاحظه ای کاهش یابد تا عدم حساسیت سیستم به تطبیق امپدانس ایجاد شود. از آنجا که این را می توان از طریق دستگاه های عرض گیت بزرگ تحقق بخشید، یک مدل نویز FET عرض گیت بزرگ ارائه می شود که بطور کارآمدی اثرات انتشار موج EM، یکی از مهمترین اثرات EM در فرکانس های موج میلی متری، را ادغام می-کند.
