| عنوان فارسی مقاله: | ترانزیستورهای نانو لوله کربنی اثر-میدانی برای مدارهای دیجیتال عملکرد بالا: تحلیل و مدلسازی DC نسبت به ساختار بهینه ترانزیستور |
| عنوان انگلیسی مقاله: | Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for High-Performance Digital Circuits—DC Analysis and Modeling Toward Optimum Transistor Structure |
چکیده
مقیاس بندی فن آوری سیلیکونی در حالی ادامه دارد که تحقیقات روی سایر مواد جدید برای نسل های آینده تکنولوژی فراتر از سال 2015 آغاز شده است. نانولوله های کربنی (CNT ها) با تحرک حامل عالی خود، مورد امیدوار کننده ای هستند. نویسندگان ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر CNT مختلف (CNFETs) را برای سوئیچ بهینه بررسی کرده اند. شاتکی مانع (SB) CNFET ها، CNFET های MOS، و MOSFET های مدرن به طور سیستماتیک از دیدگاه طراحی مدار/سیستم مقایسه شدند. نویسندگان یک تحلیل DC انجام داده اند و چگونگی نوسان ولتاژ و حاشیه نویز را به عنوان تابعی از قطر لوله و منبع ولتاژ توان مختلف تعیین کرده اند. تجزیه و تحلیل DC ترانزیستورهای SB CNFET تک لوله نشان داد که قطر بهینه CNT برای تحقق بهترین نسبت Ion به Ioff در عین حفظ حاشیه نویز خوب، در حدود 1 تا 1.5 نانومتر است. با وجود موانع و چالش های تکنولوژی جدی متعدد، CNTها برای دیوایس های با عملکرد بالا در آینده پتانسیل نشان می دهند و هم اکنون در دست تحقیق می باشند.
