| عنوان فارسی مقاله: |
طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit |
چکیده
یک طرح (DGA n-MOSFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی نوع – n با کمک گیت ساختگی به منظور نشان دادن اثربخشی آن در کاهش جریان های نشتی ناشی از تابش در یک n-MOSFET معمولی ارزیابی می شود. در طرح DGA n-MOSFET ارائه شده، جریان های نشتی ناشی از تابش با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه ای با استفاده از یک لایه p + و گیت های ساختگی حل و فصل می شوند. علاوه بر این، انتظار بر این است که گیت های ساختگی و لایه های فلز-1 ساختگی به دام انداختن بار در اکسیدهای پوشه ای را جبرانسازی کنند. ساختار ذاتی DGA n-MOSFET معایب ترانزیستور طرح محصور را تکمیل می کند، که به منظور بهبود مشخصات تحمل تابش ارائه شده است. نتایج شبیه سازی از طرح DGA n-MOSFET نشان دهنده اثربخشی حذف چنین مسیرهای جریان نشت ناشی از تابش است. علاوه بر این نتایج تجربی به دست آمده از قرار گرفتن در معرض تابش با طرح DGA n-MOSFET ساخته شده نیز نشان دهنده عملکرد خوب با توجه به تحمل دوز یونیزه کلی است.
