عنوان فارسی مقاله: | یک ضرب کننده امپدانسی جدید قابل کنترل با CMOS با ضریب تقویت کنندگی بزرگ |
عنوان انگلیسی مقاله: | A New CMOS Controllable Impedance Multiplier with Large Multiplication Factor |
نمونه متن ترجمه
در این مقاله یک ضرب کننده فشرده امپدانسی قابل کنترل با تکنولوژیCMOS ارایه شده است. طراحی بر اساس استفاده از قانون ترا خطی (translinear) با استفاده از ترانزیستور ماسفت در ناحیه زیر آستانه انجام شده است. مقدار امپدانس فقط با استفاده از جریان بایاس کنترل می شود. امپدانس می تواند بر حسب نیاز افزایش یا کاهش داده شود. عملکرد طراحی ارایه شده با استفاده از شبیه سازی در مدل BSIM3V3MOS در تکنولوژی پروسه مدار مجتمع Tanner Tspice 0.18 𝜇mTSMC اثبات می شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که طراحی ارایه شده به خوبی با ضریب تقویت قابل تنظیم از 0.1 تا 100 برابر عمل می کند. کاربرد ضرب کننده ارایه شده در طراحی فیلترهای پایین گذر و بالا گذر نیز آورده شده است.