| عنوان فارسی مقاله: |
سوئیچ شکاف نواری فعال فوتونی مبتنی بر چاه چند کوانتومیGaInNAs |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Active Photonic Band-Gap Switch Based on GaInNAs Multiquantum Well |
چکیده
دستگاه GaInNAs برای طراحی یک سوئیچ فعال عامل در طول موج = 1.2855 میکرومتر با قابلیت انتخاب بالا معرفی شده است. این دستگاه از یک ساختار شکاف باند فوتونی دوره ای و تک بُعدی ساخته شده که متشکل از لایه های موجبر پشته ای (تیغه ای) یا ridge متناوب با ارتفاع پشته های مختلف می باشد.
ساختار موجبر دوره ای برای نشان دادن شکاف باند متناظر با محدوده طول موج طراحی شده است که در آن مواد فعال نیترید رقیق حداکثر بهره را تجربه می نمایند. به عنوان مثال، عملکردهای سوئیچ تحت کنترل الکتریکی تداخل ارتباطی یا همشنوایی CT = 14.1 - دسی بل، بهره در حالت روشن یا وصل G = 7.6 دسی بل، و پهنای باند λ-10dB Δ = 1.5 نانومتر است.
با افزایش قدرت ورودی بالاتر از مقدار آستانه نوری اشباع بهره، عملکرد سوئیچینگ از لحاظ تداخل ارتباطی و یا همشنوایی و بهره بدتر می شود، اما قابلیت انتخاب طول موج بهبود می یابد، چرا که پهنای باند تا λ-10dB Δ = 0.8 نانومتر برای قدرت نوری ورودی Pi = 20 میلی وات کاهش می یابد.
