عنوان فارسی مقاله: |
طراحی و تحلیل سنسور نوری با حساسیت بالا مبتنی بر ترانزیستور ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای برای کاربردهای با توان مصرفی کم |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Design and analysis of high sensitivity photosensor using Cylindrical Surrounding Gate MOSFET for low power applications |
چکیده
در این مقاله یک سنسور نوری با حساسیت بالا ارایه شده است که در آن از اکسید روی استفاده شده است که به عنوان یک پنجره شفاف نوری روی کانال عمل می کند. حساسیت بالا با استفاده از ترانزیستور ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای (CSG MOSFET)به دست آمده است. هنگامی که قطعه در معرض نور قرار می گیرد یک افزایش قابل توجه در هدایت ایجاد می شود و در نتیجه تغییرات جریان زیر آستانه به عنوان پارامتر اندازه گیری حساسیت مورد استفاده قرار می گیرد. در اکثر سنسورهای نوری مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی ولتاژ آستانه به عنوان پارامتر مقایسه حساسیت استفاده می شود ولی در سنسور ارایه شده این مقاله تغییرات جریان استانه تحت تابش به عنوان پارامتر حساسیت مورد بررسی قرار می گیرد. همچنین عملکرد سنسور ارایه شده با سنسورهای مبتنی بر ترانزیستور ماسفت از نظر حساسیت ، ولتاژ آستانه و نسبت جریان روشن به جریان خاموش Ion/Ioff مقایسه شده است. نتایج نشان می دهد که ماسفت CSG به دلیل کنترل موثر گیت روی کانال یک قطعه مناسب به عنوان سنسور نوری با حساسیت بالا است. با استفاده از این سنسور حساسیت بالا ، جریان تاریکی پایین ، Ion/Ioff بالا و جریان آستانه پایین قابل دستیابی است. علاوه بر این اثر شعاع کانال به پاسخ دهی (Re) و بازده کوانتمی (Qe) و Ion/Ioff مورد بررسی قرار گرفته است.
