عنوان فارسی مقاله: |
یک تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های 3.1-10.6 GHz در فرآیند های CMOS با ابعاد 0.13um |
|
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A low power and high linearity UWB low noise amplifier (LNA) for 3.1–10.6 GHz wireless applications in 0.13 mm CMOS process |
جستجوی ترجمه مقالات بر اساس کلمات کلیدی
نمونه متن ترجمه
چکیده
در این مقاله، یک LNA کم توان به صورت پهن باند گسترده ( UWB) CMOS طراحی شده است که از تکنیک های انحطاط منبع به صورت القایی در گستره فرکانسی 3.1–10.6 GHz کار میکند. برای این که بتوانیم یک حالت کم نویز با خطیت بالا به صورت همزمان به دست بیاوریم، یک UWB LNA سه مرحله ای اصلاح شده با القا کننده های میان مرحله ای پیشنهاد شده است. تکنیک های بایاس بدنه به صورت رو به جلو ( FBB) برای کاهش ولتاژ سرحد و مصرف توان در مرحله ی نخست و مرحله ی سوم، استفاده شده است. مرحله ی دوم نیز یک طراحی فشاری و کششی است که از مشخصه های تکمیلی ترانزیستور های NMOS و PMOS استفاده میکند تا بتواند عملکرد خطی را بهبود بخشد. LNA های پیشنهاد شده بر روی فرآیند های CMOS با سایز 0.13 um شبیه سازی شده است.
