چکیده
این مقاله منبع بندگپ و مدارات sub-BGR برای LSIهای نانووات را نشان میدهد. مدارات شامل یک مدار جریان مرجع نانوآمپری، یک ترانزیستور دوقطبی و ژنراتورهای ولتاژ متناسب با دمای خالص میباشند. مدارات پیشنهادی از استفاده از مقاومتها اجتناب کرده و شامل تنها MOSFET و یک ترانزیستور دوقطبی است. به دلیل اینکه مدار sub-BGR ولتاژ خروجی ترانزیستور دوقطبی را بدون استفاده از مقاومت تقسیم میکند، میتواند با منبع زیر 1ولت کار کند. نتایج تجربی به دست آمده در تکنولوژی CMOS 0.18 میکرومتر نشان میدهند که مدار BGRمیتواند ولتاژ مرجع 1.09ولت و مدار sub-BGR ولتاژ مرجع 0.548 را تولید کند. اتلاف توان مدارات BGR و sub-BGR به ترتیب 100 و 52.5 نانووات میباشد.