چکیده
یک مسیر الکتروشیمیایی برای تهیه لایه های نازک ایندیم-آلاییده SnS و خالص SnS استفاده شده است. شش نمونه شامل لایه های نازک ایندیم-آلاییده SnS و ناآلاییده SnS در لایه شیشه ای اکسید قلع فلورین-آلاییده واقع می شود. محلول آبی حاوی SnCl2 و Na2S2O3 به عنوان الکترولیت اولیه استفاده می شود. نمونه های مختلف ایندیم-آلاییده SnS با افزودن مقدار متفاوت 1mM محلول InCl3 به الکترولیت اول تهیه شدند. پتانسیل کاربردی (E)، زمان رسوب (t)، pH و درجه حرارت حمام (T) به ترتیب در −1 V, 30 min, 2.1 و 60 °C حفظ می شود. برای همه نمونه ها، به جز غلظت ناخالص ساز-ایندیم، تمام پارامترهای رسوب یکسان هستند. پس از آماده سازی، پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی اسکن انتشار میدانی (FESEM) به همراه پیوستگی آنالیزگر اشعه ایکس پراکنده انرژی (EDX)، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی انتقال (TEM) برای تعین خواص ساختاری لایه های رسوب شده استفاده می شود. الگوهای XRD نشان داد که لایه های نازک ایندیم-آلاییده SnS و غیر آلاییده سنتز شده در ساختارارتورومبیک متبلورشده بود. شکل کریستال SnS در تصویر TEM کروی بود. مطالعات وسیع پیک اشعه ایکس با استفاده از روش شرر، مدل ویلیامسون هال (W-H) (شامل مدل تغییر شکل یکنواخت (UDM)، مدل تغییر فشار یکنواخت (UDSM) و مدل تراکم تغیرشکل انرژی یکنواخت (UDEDM) و روش طرح میزان فشار SSP انجام شد. با استفاده از این تکنیکها، اندازه کریستالیت و فشارهای شبکه پیش بینی شده است. توافق خوبی در اندازه ذرات حاصل شده توسط روش W-H- و SSP با تصویر TEM وجود دارد.
