| عنوان فارسی مقاله: | مدل سازی اثرات تداخل در معماری باس CNT |
| عنوان انگلیسی مقاله: | Modeling Crosstalk Effects in CNT Bus Architectures |
نمونه متن ترجمه
چکیده
نانولوله‌های کربنی(CNTها) بطور گسترده‌ای به عنوان اساس اتصال در تکنولوژی‌های زیر میکروفون خیلی عمیق و نانو ارائه شده‌اند که این بخاطر استحکام آنها در حرکت الکترون‌ها می‌باشد. در این مقاله، مسائل مربوط به تداخل در خطوط بأس توسط CNT ها اجرا و مورد بررسی قرار گرفته است. اتصالات مبتنی بر CNT مدلسازی شده‌اند و اثرات داخل در عملکرد و اجرای صحیح توسط شبیه سازی ارائه شده‌اند. مدل‌های موجود بریا هندسه‌هایی که در معماری بأس از نانولوله‌های تک جداره و چند جداره ساخته شده‌اند، اصلاح شده‌اند. مدارهای معادل RLC جدید برای این معماری‌ها ارائه شده‌اند. یک معماری بأس جدید با معیارهای تداخلی کم هم ارائه شده است. این معماری بأس از نانولوله‌های دو جداره که بصوت موازی هستند ساخته شده‌اند. در این معماری، تأخیر تداخل القایی و عدم قطعیت مربوطه (مثل ولتاژ پیک تداخل القایی) به میزان قابل توجهی کاهش یافته‌اند. یک خطای منطقه‌ای متوسط وارد شده است. کاهش تا 59% برای تأخیر تداخل القایی و تا 81% برای ولتاژ پیک تداخل القایی گزارش شده است. این نتایج تاکید می‌کنند که سازماندهی بأس ارائه شده به طرز محسوسی عملکرد را بهتر می‌کند و عملکرد بهتری فراهم می‌کند.
