عنوان فارسی مقاله: |
مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر و توان سطح مدار تحت شرایط تغییر فرآیند |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation |
جستجوی مقالات بر اساس کلمات کلیدی
نمونه متن ترجمه
چکیده
این مقاله اولین مدل فشرده پارامتری شده سازگار با SPICE از یک ترانزیستور اثر میدانی نانوریبون گرافین (GNRFET) با منابع ناخالص شده را معرفی می‌کند که تغییر فرآیند را نیز پشتیبانی می‌کند. هم چنین، تغییر فرآیند در بعد ترانزیستور، زبری لبه و سطح ناخالص سازی در مخزن بدرستی مدل می‌شوند. مدل ما روشی برای تحلیل تأخیر و توان مدارهای پایه گرافینی تحت تغییر فرآیند ارائه می‌دهد و درکی از طراحی و ساخت برای مدارهای گرافینی در آینده عرضه می‌کند. ما نشان می‌دهیم که زبری لبه شدیداً از مزایای مدارهای GNRFET می‌کاهد، هرچند این مدارها هنوز منتخب خوبی برای کاربری‌های کم مصرف محسوب می‌شوند.
